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PSMN057-200P中文资料

  • 大小：92.76KB
  • 厂家：PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述：N-channel TrenchMOS transistor
  • 制造商：NXP
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：200 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：39 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.057 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220AB
  • 封装：Rail
  • 下降时间：78 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：250 W
  • 上升时间：58 ns
  • 工厂包装数量：50
  • 典型关闭延迟时间：105 ns
  • 零件号别名：PSMN057-200P,127

PSMN057-200P供应商

更新时间:2022-12-31 18:58:41
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